更換用電池。
初始電壓3.0V。
更換用大容量電池模塊，不帶電纜。
電流容量：18000mAh。
使用壽命：5年。
外形尺寸：98*55.2*87mm。輸出點數(shù)：64點三菱Q型編程手冊。
輸出電壓及電流：DC12~24V；0.1A/點；2A/公共端。
OFF時漏電流：0.1mA。
應(yīng)答時間：1ms。
32點1個公共端Q173CPUN
源型。
40針連接器。
帶熱防護(hù)。
帶浪涌吸收器。
帶保險絲。
借助采樣跟蹤功能縮短啟動時間
利用采樣跟蹤功能，方便分析發(fā)生故障時的數(shù)據(jù)，
檢驗程序調(diào)試的時間等，可縮短設(shè)備故障分析時間和啟動時間三菱Q型編程手冊。
此外，在多CPU系統(tǒng)中也有助于確定CPU模塊之間的數(shù)據(jù)收發(fā)時間。
可用編程工具對收集的數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，
并以圖表和趨勢圖的形式方便地顯示位軟元件和字軟元件的數(shù)據(jù)變化。
并且,可將采樣跟蹤結(jié)果以GX LogViewer形式的CSV進(jìn)行保存，
通過記錄數(shù)據(jù)顯示、分析工具GX LogViewer進(jìn)行顯示三菱Q型編程手冊。
超高速處理，生產(chǎn)時間縮短，更好的性能。
隨著應(yīng)用程序變得更大更復(fù)雜，縮短系統(tǒng)運行周期時間是非常必要的。
通過超高的基本運算處理速度1.9ns，可縮短運行周期。
除了可以實現(xiàn)以往與單片機(jī)控制相聯(lián)系的高速控制以外，
還可通過減少總掃描時間，提高系統(tǒng)性能，
防止任何可能出現(xiàn)的性能偏差。
方便處理大容量數(shù)據(jù)Q173CPUN編程手冊。
以往無法實現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取，
在編程時需要考慮各區(qū)域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴(kuò)展卡，
可將標(biāo)準(zhǔn)RAM作為一個連續(xù)的文件寄存器，
容量最多可達(dá)4736K字，從而簡化了編程。
因此，即使軟元件存儲器空間不足，
也可通過安裝擴(kuò)展SRAM卡，方便地擴(kuò)展文件寄存器區(qū)域Q173CPUN編程手冊。
變址寄存器擴(kuò)展到了32位，從而使編程也可超越了傳統(tǒng)的32K字，
并實現(xiàn)變址修飾擴(kuò)展到文件寄存器的所有區(qū)域。
另外，變址修飾的處理速度對結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)（陣列）的高效運算起著重要作用，
該速度現(xiàn)已得到提高Q173CPUN編程手冊。
當(dāng)變址修飾用于反復(fù)處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時，可縮短掃描時間。輸入：4通道。
熱電偶(K、J、T、B、S、E、R、N、U、L、PLlI、W5Re/W26Re) 。
無加熱器斷線檢測功能。
采樣周期：0.5s/4 通道。
18點端子臺。
尖峰電流抑制功能。
可防止同時打開輸出以控制尖峰電流，有助于節(jié)能及降低運行成本。
同時升溫功能。
使多個回路同時達(dá)到設(shè)置值，以進(jìn)行均勻的溫度控制，
有助于防止空載并有效節(jié)能及降低運行成本。
自動調(diào)整功能。
可在控制過程中自動調(diào)節(jié)PID常數(shù)。
可降低自動調(diào)整成本（時間、材料和電能）。

可靈活進(jìn)行各種設(shè)置，實現(xiàn)最佳溫度控制的溫度調(diào)節(jié)模塊Q173CPUN手冊。
針對擠壓成型機(jī)等溫度控制穩(wěn)定定性要求高的設(shè)備，
溫度調(diào)節(jié)模塊具有防過熱和防過冷的功能三菱Q型編程手冊。
可根據(jù)控制對象設(shè)備，選擇標(biāo)準(zhǔn)控制（加熱或冷卻）或加熱冷卻控制（加熱和冷卻）模式。
此外，也可選擇混合控制模式（結(jié)合了標(biāo)準(zhǔn)控制和加熱-冷卻控制）。