主基板、擴(kuò)展基板 I/O插槽用盲蓋板。模擬量輸出通道數(shù)：8CH。
精度
環(huán)境溫度25正負(fù)5°C：正負(fù)0.1% 以內(nèi)。
環(huán)境溫度0～55°C：-。
溫度系數(shù)：正負(fù)50ppm/℃。
轉(zhuǎn)換速度：1ms/CH。
通道間絕緣：隔離變壓器絕緣。
輸出短路保護(hù)：有。
外部供給電源：-。
外部配線連接方式：40針連接器R612B
電壓輸出
數(shù)字量輸入值：?32000～32000。
模擬量輸出電壓：DC?10～10V。
電流輸出
數(shù)字量輸入值：0～32000。
模擬量輸出電流：DC0～20mA。
高速輸出流暢的模擬量波形。
模擬量輸出模塊具有將任意波形數(shù)據(jù)注冊到模塊中，并根據(jù)設(shè)定的轉(zhuǎn)換周期連續(xù)執(zhí)行模擬量輸出的功能。
執(zhí)行沖壓機(jī)和注塑成型機(jī)等的模擬量(扭矩)控制時(shí)，可自動(dòng)輸出事先注冊的控制波形，
通過程序進(jìn)行高速、流暢的控制。此外，僅需事先將波形數(shù)據(jù)注冊到模塊中，
即可輕松控制模擬量波形，因此在進(jìn)行生產(chǎn)線控制等重復(fù)控制時(shí)，
無需使用專用的程序來創(chuàng)建波形，可減少編程工時(shí)。
可使用參數(shù)輕松設(shè)定轉(zhuǎn)換運(yùn)算和比例縮放，無需創(chuàng)建專用的程序。
因此，有助于降低程序的開發(fā)成本并減小程序容量。運(yùn)算控制方式：存儲(chǔ)程序反復(fù)運(yùn)算。
內(nèi)置CC-Link IE。
輸入輸出點(diǎn)數(shù)：4096點(diǎn)。
程序容量：40K。
提高恒定周期中斷程序的速度。
執(zhí)行恒定周期中斷程序的最小間隔可縮短到50μs，
可編程控制器可切實(shí)讀取更高速的信號。
此外，還可為中斷程序設(shè)定優(yōu)先度，在中斷處理時(shí)執(zhí)行優(yōu)先度高的中斷程序。
因此，在高速讀取信號時(shí)，也可通過常規(guī)的輸入模塊+CPU模塊的恒定周期中斷程序讀取信號。
便于處理的軟元件/標(biāo)簽區(qū)域
將擴(kuò)展SRAM卡安裝到可編程控制器CPU模塊上后，
可擴(kuò)展最多 5786K 字的軟元件/標(biāo)簽存儲(chǔ)區(qū)域。
擴(kuò)展區(qū)域作為與內(nèi)置CPU模塊的存儲(chǔ)器相連的區(qū)域，
可自由分配軟元件/標(biāo)簽等的范圍。
因此，可輕松進(jìn)行編程，而無需考慮各存儲(chǔ)區(qū)域的邊界。
此外，還可使用SD存儲(chǔ)卡處理記錄的數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)庫數(shù)據(jù)等大容量數(shù)據(jù)。模擬量輸出通道數(shù)：16CH。
精度
環(huán)境溫度25正負(fù)5°C：正負(fù)0.1% 以內(nèi)。
環(huán)境溫度0～55°C：-。
溫度系數(shù)：正負(fù)50ppm/℃。
轉(zhuǎn)換速度：1ms/CH。
通道間絕緣：隔離變壓器絕緣。
輸出短路保護(hù)：有。
外部供給電源：-。
外部配線連接方式：40針連接器兩個(gè)。
電壓輸出
數(shù)字量輸入值：?32000～32000。
模擬量輸出電壓：DC?10～10V。
電流輸出
數(shù)字量輸入值：0～32000。
模擬量輸出電流：DC0～20mA。
無需使用專用的程序來創(chuàng)建波形，可減少編程工時(shí)。
可使用參數(shù)輕松設(shè)定轉(zhuǎn)換運(yùn)算和比例縮放，無需創(chuàng)建專用的程序。
因此，有助于降低程序的開發(fā)成本并減小程序容量。
高速輸出流暢的模擬量波形。
模模擬量輸出模塊具有將任意波形數(shù)據(jù)注冊到模塊中，并根據(jù)設(shè)定的轉(zhuǎn)換周期連續(xù)執(zhí)行模擬量輸出的功能。
執(zhí)行沖沖壓機(jī)和注塑成型機(jī)等的模擬量(扭矩)控制時(shí)，可自動(dòng)輸出事先注冊的控制波形，
通過程序進(jìn)行高速、流暢的控制。此外，僅需事先將波形數(shù)據(jù)注冊到模塊中，
即可輕松控制模擬量波形，因此在進(jìn)行生產(chǎn)線控制等重復(fù)控制時(shí)，